Drittmittelprojekt
Titel:
Langwellige GaInNAs Quantenfilme und Quantenpunkte für GaAs basierende Laser mit bis zu 1.6µm
Projektleitung an der Universität Würzburg:
- Prof. Dr. Alfred Forchel
, Lehrstuhlinhaber,Tel: 0931-8885110,Fax: 0931-8885143,Mail: alfred.forchel@physik.uni-wuerzburg.de
Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:
- Sven Höfling
,Tel: 0931-8885119,Fax: 0931-8885143,Mail: sven.hoefling@physik.uni-wuerzburg.de
- Dirk Bisping
,Tel: 0931-8885122,Fax: 0931-8885143,Mail: dirk.bisping@physik.uni-wuerzburg.de
Kurzbeschreibung:
Durch das Hinzufügen von kleinen Mengen Stickstoff zu In(Ga)As-Quantenfilmen oder Quantenpunkten kann die Bandlücke stark reduziert werden. Damit ist es möglich, den für Telekommunikationsanwendungen interessanten Wellenlängenbereich 1.5-1.6µm mit GaAs-basierenden Halbleiterlasern zu erreichen. Auf Grund der Kompatibilität zum für DBR-Spiegel verwendeten Al(Ga)As/GaAs-Materialsystem, ist es auf GaAs-Substrat zusätzlich möglich für Telekommunikationsanwendungen besonders interessante vertikalemittierende Laser (VCSEL) zu entwickeln. Im Rahmen das Projektes sollen Wachstumsparameter und -Methoden für die Herstellung von sowohl Quantenfilm- als auch Quantenpunkt-basierenden GaInNAs-Laserstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) im Bereich bis zu 1.6µm entwickelt bzw. optimiert werden. Ziel ist die Herstellung von Laser mit Emission bis zu 1.6µm mit niedrigen Schwellenströmen und verbesserte Laserkenndaten. Diese optimierten aktiven Schichten können dann wiederum in vertikalemittierenden Lasern verwendet werden.
Schlagworte:
Molekulahrstrahlepitaxie
Halbleiterlaser
Kantenemitter
Vertikalemitter
Quantenfilme
Quantenpunkte
GaInNAs
Laufzeit:
von 10.2005 bis 09.2008
Förderinstitution:
DFG ,Genehmigungsdatum: 31.08.2005
Publikationen:
- D. Bisping, S. Höfling, D. Pucicki, M. Fischer, A. Forchel.
(2008). Room-temperature singlemode continuous-wave operation of distributed feedback GaInNAs laser diodes at 1.5 µm. Electronics Letters, 44, 737-738. (Wissenschaftl. Artikel)
- M. Fischer, D. Bisping, B. Marquardt, A. Forchel.
(2007). High-temperature continuous-wave operation of GaInAsN-GaAs quantum-dot laser diodes beyond 1.3 µm. IEEE Photonics Technology Letters, 19, 1030-1032. (Wissenschaftl. Artikel)
- M. Motyka, R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, D. Bisping, B. Marquardt, M. Fischer, A. Forchel.
(2007). Photoluminescence from InAsN quantum dots embedded in GaInNAs/GaAs quantum wells. Journal of Applied Physics, 101, 113539. (Wissenschaftl. Artikel)
- M. Motyka, R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, D. Bisping, B. Marquardt, M. Fischer, A. Forchel.
(2007). Contactless electroreflectance investigation of energy levels in a 1.3 µm emitting laser structure with the gain medium composed of InAsN quantum dots embedded in GaInNAs/GaAs quantum wells. Applied Physics Letters, 90, 221112. (Wissenschaftl. Artikel)
- M. Motyka, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, D. Pucicki, M. Tlaczala, M. Fischer, B. Marquardt, A. Forchel.
(2007). Contactless electroreflectance and photoluminescence of InAs quantum dots with GaInNAs barriers grown on GaAs substrate. Physica status solidi c, 4, 625-627. (Wissenschaftl. Artikel)
- B. Marquardt, D. Bisping, M. Fischer, A. Forchel.
(2006). GaInAsN/GaAs quantum dot laser diodes operating in 1.36 µm wavelength range. Electronics Letters, 42, 806-808. (Wissenschaftl. Artikel)
