Startseite: Forschungsbericht      Personenindex      Schlagwortindex      zugeh.Orgeinheit            Page in english      Impressum+Datenschutz   

Drittmittelprojekt

Titel:
Langwellige GaInNAs Quantenfilme und Quantenpunkte für GaAs basierende Laser mit bis zu 1.6µm

Projektleitung an der Universität Würzburg:

Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:

Kurzbeschreibung:
Durch das Hinzufügen von kleinen Mengen Stickstoff zu In(Ga)As-Quantenfilmen oder Quantenpunkten kann die Bandlücke stark reduziert werden. Damit ist es möglich, den für Telekommunikationsanwendungen interessanten Wellenlängenbereich 1.5-1.6µm mit GaAs-basierenden Halbleiterlasern zu erreichen. Auf Grund der Kompatibilität zum für DBR-Spiegel verwendeten Al(Ga)As/GaAs-Materialsystem, ist es auf GaAs-Substrat zusätzlich möglich für Telekommunikationsanwendungen besonders interessante vertikalemittierende Laser (VCSEL) zu entwickeln. Im Rahmen das Projektes sollen Wachstumsparameter und -Methoden für die Herstellung von sowohl Quantenfilm- als auch Quantenpunkt-basierenden GaInNAs-Laserstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) im Bereich bis zu 1.6µm entwickelt bzw. optimiert werden. Ziel ist die Herstellung von Laser mit Emission bis zu 1.6µm mit niedrigen Schwellenströmen und verbesserte Laserkenndaten. Diese optimierten aktiven Schichten können dann wiederum in vertikalemittierenden Lasern verwendet werden.

Schlagworte:
    Molekulahrstrahlepitaxie
    Halbleiterlaser
    Kantenemitter
    Vertikalemitter
    Quantenfilme
    Quantenpunkte
    GaInNAs

Laufzeit: von 10.2005 bis 09.2008

Förderinstitution:
DFG ,Genehmigungsdatum: 31.08.2005

Publikationen: