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Drittmittelprojekt

Titel:
Entwicklung und Simulation effizienter Modelle
fuer epitaktisches Kristallwachstum

Projektleitung an der Universität Würzburg:

Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:

Kurzbeschreibung:
In Rahmen dieses Projektes werden verschiedene Aspekte des
epitaktischen Wachstums untersucht. Wir entwickeln effiziente
Gittergasmodelle und Simulationsmethoden um u.a. Anisotropieeffekte
an Halbleiteroberflaechen und die Huegelbildung beim instabilen
Wachstum zu studieren.

Schlagworte:
    Monte Carlo Simulation
    Molekularstrahlepitaxie

Laufzeit: von 07.1999 bis 06.2002

Förderinstitution:
DFG

Links:
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