Titel:
Modellierung und Simulation von heteroepitaktischem Kristallwachstum
Projektleitung an der Universität Würzburg:
Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:
Kurzbeschreibung:
Beim heteroepitaktischen Wachstum entstehen auf Grund von
Verspannungseffekten zum Einen Fehlstellen, so genannte Dislokationen,
zum Anderen koennen sich spontan Huegelstrukturen oder "Dots" ausbilden.
Um diese Phaenomene zu untersuchen fuehren wir Kinetische Monte Carlo
Simulationen durch. Im Gegensatz zu den ueblichen Gittergas- oder
Solid-On-Solid-Modellen muessen hier kontinuierliche Teilchenpositionen
betrachtet werden.
Schlagworte:
Wachstumsmodelle
Molekularstrahl-Epitaxie
Monte Carlo Simulation
Laufzeit: von 05.2001 bis 04.2004
Förderinstitution:
DFG