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Drittmittelprojekt

Titel:
Modellierung und Simulation von heteroepitaktischem Kristallwachstum

Projektleitung an der Universität Würzburg:

Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:

Kurzbeschreibung:
Beim heteroepitaktischen Wachstum entstehen auf Grund von
Verspannungseffekten zum Einen Fehlstellen, so genannte Dislokationen,
zum Anderen koennen sich spontan Huegelstrukturen oder "Dots" ausbilden.
Um diese Phaenomene zu untersuchen fuehren wir Kinetische Monte Carlo
Simulationen durch. Im Gegensatz zu den ueblichen Gittergas- oder
Solid-On-Solid-Modellen muessen hier kontinuierliche Teilchenpositionen
betrachtet werden.

Schlagworte:
    Wachstumsmodelle
    Molekularstrahl-Epitaxie
    Monte Carlo Simulation

Laufzeit: von 05.2001 bis 04.2004

Förderinstitution:
DFG

Links:
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