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Drittmittelprojekt

Titel:
Wachstumsmechanismen und Phasenübergänge von II-VI-Oberflächen und epitaktischen II-VI-Schichten

Projektleitung an der Universität Würzburg:

Beteiligte Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler:

Kurzbeschreibung:
Die Schwerpunkte dieses Forschungsprojektes im Bereich der II-VI Halbleiter-Oberflächen sind die geometrische Struktur, Oberflächenrekonstruktionen sowie die Morphologie der Oberflächen. Im Bereich der dünnen Schichtsysteme werden Wachstumsmechanismen und Phasenübergänge sowie (in Kooperation mit TP B2) Relaxationsphänomene in pseudomorphen Schichten untersucht. Zu den eingesetzten Methoden zählen Elektronen- und Röntgenbeugungsmethoden (SPA-LEED, RHEED, SXRD). Die SXRD Untersuchungen werden an der Synchrotronstrahlungsquelle DORIS des Hamburger Synchrotronstrahlungslabors bei DESY durchgeführt. Bearbeitete Fragestellungen sind u.A. die Struktur der (2´1)- und c(2´2)-Rekonstruktionen der (001) Oberfläche von ZnSe, das Auftreten von Mosaik-Verkippungen an der ZnSe Oberfläche beim Übergang von pseudomorphem zu relaxiertem Schichtwachstum, der Einfluss der Orientierung von Stufen auf die Morphologie der ZnSe(001)-Oberfläche, die Sublimations- und Glättungskinetik an der CdTe(001) Oberfläche, die Te-Adsorption auf Ge(001) sowie die Rolle von Te als Interfactant für das Wachstum von ZnSe(001).

Schlagworte:
    Geometrische Struktur und Morphologie von Oberflächen
    pseudomorphes Wachstum und Relaxation in dünnen Schichtsystemen

Laufzeit: von 01.1999 bis 12.2001

Publikationen: